Dos de los gigantes tecnológicos anunciaron la creación de un nuevo chip que promete importantes mejoras de gestión de energía y rendimiento para los dispositivos móviles. Esto se da luego de que han afirmado que lograron un gran avance en el diseño de semiconductores. Se trata de un VTFET(Vertical Transport Nanosheet field Effect Transistor), que presenta en su núcleo una arquitectura vertical en lugar del método plano horizontal habitual. El nuevo diseño permitirá que la corriente fluya hacia arriba y hacia abajo por una pila de transistores acomodados verticalmente, en…
Leer más...IBM Y SAMSUNG CREARAN UN CHIP CON EL QUE LA BATERIA DE LOS SMARTPHONES PODRÍA DURAR HASTA UNA SEMANA
