Dos de los gigantes tecnológicos anunciaron la creación de un nuevo chip que promete importantes mejoras de gestión de energía y rendimiento para los dispositivos móviles.
Esto se da luego de que han afirmado que lograron un gran avance en el diseño de semiconductores. Se trata de un VTFET(Vertical Transport Nanosheet field Effect Transistor), que presenta en su núcleo una arquitectura vertical en lugar del método plano horizontal habitual.
El nuevo diseño permitirá que la corriente fluya hacia arriba y hacia abajo por una pila de transistores acomodados verticalmente, en lugar de que la corriente eléctrica fluya de lado a lado como lo hace habitualmente.
Así será posible que almacenen también más transistores en la superficie del chip, lo que permitirá que se puedan procesar más cálculos por segundo, y al crear más puntos de contacto para los transistores, existirá un mayor flujo de energía y un menor desperdicio.
IBM y Samsung señalan que estos chips VTFET podrían ofrecer una mejora 2 veces mayor en el rendimiento o una reducción del 85% en el uso de la energía en comparación a los diseños que ofrece actualmente FinFET.
Afirman que la tecnología VTFET podrá generar baterías de dispositivos móviles que pueden durar más de una semana sin cargarse, en lugar de días, sin dejar de lado la posibilidad de que existan dispositivos IoT más potentes.
Aún no se han dicho cuándo planean comercializar el diseño, sin embargo parece que todavía estamos lejos de que estos diseños VTFET se utilicen en chips de consumo reales.
Pero lo que sí está claro es que no son las únicas empresas que intentan superar la barrera del nanómetro. En julio, Intel anunció que terminará el diseño de chips a escala angstrom para 2024, con su nuevo nodo “Intel 20A” y transistores RibbonFET.
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